原|2024-01-24 18:24:55|浏览:37
IGBT是绝缘栅双极性晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)的缩写。它是一种常用的功率半导体装置,结合了MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)和双极性晶体管的特点。IGBT结构上具有MOSFET的输入阻抗较高、驱动电流较小的优点,同时又具备了双极性晶体管的电流驱动能力。IGBT在电力电子领域广泛应用,主要用于高功率电子器件和电力电子系统中,如电动和混合动力汽车、变频器、电力输配电设备等。它具有高效性能、快速开关速度和较低的开关损耗等特点,因此被广泛应用于高频电力电子设备中。